通过创新的低温臭氧准原子级处理（qALE）技术，他们精确去除了纳米片沟道表面残留的Ge原子，降低了界面缺陷，显著提升了器件性能。采用该技术后，亚阈值开关摆幅优化至60.3 mV/dec，漏电流降低66.7%，而开态电流提升超过20%。这一研究成果已发表在202

科技 科技创新 晶体管 gaa gaa晶体管 2025-03-26 14:19  3