坏块

联和存储科技申请 NAND FLASH 坏块管理专利，降低坏块使用频率使 NAND FLASH 达生产标准降成本

金融界 2025 年 3 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司申请一项名为“NAND FLASH 坏块的管理方法、系统、装置和闪存”的专利，公开号 CN 119690335 A，申请日期为 2024 年 11 月。

国家知识产权局信息显示，宁波得力科贝技术有限公司申请一项名为“一种Nandflash坏块管理方法”的专利，公开号CN 119668504 A，申请日期为2024年11月。