导通电阻

理想汽车SiC MOS新技术，失效率降低一个数量级

众所周知，新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高，为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常，通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试，以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。

相信关注GaN（氮化镓）技术的朋友们都知道，GaN作为第三代半导体材料，拥有高禁带宽度、高电子饱和速度、高击穿电场等得天独厚优势，被誉为未来功率电子和射频应用的“颠覆者”。然而，大部分GaN器件，尤其是目前主流的GaN-on-Si（硅基氮化镓）器件，都需要在G