ganhemt缓冲层

一文搞懂GaNHEMT缓冲层，到底是掺C还是掺Fe？

相信关注GaN（氮化镓）技术的朋友们都知道，GaN作为第三代半导体材料，拥有高禁带宽度、高电子饱和速度、高击穿电场等得天独厚优势，被誉为未来功率电子和射频应用的“颠覆者”。然而，大部分GaN器件，尤其是目前主流的GaN-on-Si（硅基氮化镓）器件，都需要在G