安普莱西娅等申请具有混和型接触的CMOS专利，形成界定第一、第二及第三电接面的混和型接触
国家知识产权局信息显示，安普莱西娅有限责任公司;X-FAB全球服务有限公司申请一项名为“具有混和型接触的CMOS”的专利，公开号CN120187069A，申请日期为2020年11月。
西娅
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“当夜幕降临，剧院的灯光变得昏暗而神秘。著名音乐剧女演员安雅在休息室离奇死亡，狭小的空间弥漫着令人窒息的恐怖氛围。谎言在弥漫，每个人都有嫌疑……”
国家知识产权局信息显示，安普莱西娅有限责任公司;X-FAB全球服务有限公司申请一项名为“具有混和型接触的CMOS”的专利，公开号CN120187069A，申请日期为2020年11月。
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