SiC单晶片切不好,后面都“白扯” 在碳化硅产业链中,由于衬底占器件总成本的47%,因此降低晶体缺陷,提升衬底良率是助推实现碳化硅大规模产业化应用的主要途径,良率提升重点在于晶体生长与切割环节。 sic 碳化硅 单晶片 sic单晶片 白扯 2025-06-06 17:23 3