金刚石作为超宽禁带半导体的典型代表，因其超宽禁带、高击穿场强、高载流子迁移率及出色的热导率等特性，成为高频、大功率、高温及抗辐射器件的理想材料。其中，（110）单晶金刚石在氢终端以及n型掺杂的电子器件应用中展现出独特优势，但基于（110）单晶金刚石衬底的同质外

金刚石 张进 单晶金刚石 晶面 郝跃 2025-06-06 08:38  3