电介质资讯_B站影视

垂直结构 GaN功率器件可靠性探讨

垂直GaN器件的性能在很大程度上取决于漂移区的特性。降低非故意意杂质浓度有利于提高迁移率，对于高残余碳(C:1017cm-3)，迁移率低至 20cm2/Vs)的，而对于更高质量的材料，则有报道称其迁移率值约为 960cm2/Vs，可与碳化硅的迁移率相媲美。漂移

在能源结构转型与电子设备革新背景下，储能技术作为现代能源体系的核心支撑，正面临更高的性能要求。聚合物薄膜电容器凭借高功率密度与快速充放电特性，虽已广泛应用于电子设备及电源系统，但其较低的能量密度显著制约了在脉冲功率设备、电动汽车等领域的深度应用。当前亟需在提升

1月3日、4日，清华大学材料学院沈洋教授课题组围绕“高温储能聚合物电介质”主题，先后在《自然·纳米技术》（Nature Nanotechnology）期刊和《自然·能源》（Nature Energy）期刊上发表综述和研究成果。

近日，南方科技大学材料科学与工程系汪宏讲席教授团队在储能电介质领域取得重要进展，相关研究成果以“Superior Capacitive Energy Storage Enabled by Molecularly Interpenetrating Interfa

中国科学院院士、西安交通大学教授姚熹有一个随身携带的碧绿色小茶杯。这个毫不起眼的小杯子，是当年交通大学迁校到西安时，他花几毛钱买的。小茶杯，是他扎根西安的纪念。

随着光学科学和应用的进步，对多功能光学器件的需求不断增长，这些器件需要将尽可能多的波控制功能集成到一个单一的超紧凑系统中。然而，由传统电介质制成的光学器件依赖于光的传播相位，这必然导致器件尺寸庞大（相对于波长）和/或效率低（由于缺乏磁响应）。