西安交大科研人员制备出全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片 六方氮化硼(hBN)是重要的超宽禁带半导体材料,具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性,在深紫外发光器件和探测器领域具有重要的应用。早在2007年,科研人员就开展了对hBN材料激子发光特性的实验研究与理论分析,相关成果发表在Science期刊上(Science, 氮化硼 led芯片 深紫外 六方氮化硼 同质结 2025-03-19 10:08 2