相信关注GaN（氮化镓）技术的朋友们都知道，GaN作为第三代半导体材料，拥有高禁带宽度、高电子饱和速度、高击穿电场等得天独厚优势，被誉为未来功率电子和射频应用的“颠覆者”。然而，大部分GaN器件，尤其是目前主流的GaN-on-Si（硅基氮化镓）器件，都需要在G

缓冲层 rf ganhemt ganhemt缓冲层 导通电阻 2025-06-08 16:33  7

美国斯坦福大学与加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）宣称，首次在射频（RF）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）上集成了后处理金刚石 [Rohith Soman et al, Appl. Phys. Express, v18, p046503, 2025

金刚石 后处理 hemt ganhemt 后处理金刚石 2025-06-04 08:55  8