首个基于GaN HEMT的后处理金刚石 美国斯坦福大学与加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）宣称，首次在射频（RF）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）上集成了后处理金刚石 [Rohith Soman et al, Appl. Phys. Express, v18, p046503, 2025 金刚石 后处理 hemt ganhemt 后处理金刚石 2025-06-04 08:55 3