中国科学院半导体研究所在植入式脑机接口器件研究方面取得新进展 近期,中国科学院半导体研究所裴为华研究员团队在脑机接口核心器件——植入式神经微电极研发方面取得重要突破,开发出一种创新性神经透明电极技术,为神经信号的多模态高分辨采集和在体神经长期记录提供了创新解决方案。 器件 半导体 中国科学院 脑机接口 中国科学院半导体 2025-05-30 17:57 3