中国突破EUV光刻“光源中的光源”，锡靶技术成胜负手！
在EUV（极紫外）光刻机中，锡靶是产生13.5nm极紫外光的核心材料。当高功率激光轰击液态锡滴时，锡原子电离形成等离子体并辐射EUV光。这一过程需每秒精准击打5万次锡滴，误差小于0.1微米，堪称“用激光击中高速飞行的子弹”。
euv光刻
又一家公司，想颠覆EUV光刻
由ASML打造的EUV光刻机是现代芯片不可或缺的重要生产工具。尤其是随着芯片工艺来到了3nm之后，EUV光刻的重要性与日俱增。ASML也通过提高NA的方式，引领EUV光刻机进入到High NA时代，以满足客户更严苛的需求。