sk海力士

三星计划在HBM4采用混合键合技术，SK海力士暂时仅作为备用手段

三星将从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储（YMTC）的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。除了NAND闪存芯片引入混合键合技术，三星还打算扩展到DRAM芯片。

SK海力士公司近期宣布，其全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存已成功进入量产阶段。这款闪存不仅在存储层级上达到了前所未有的高度，还在性能上实现了显著提升。