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突发！美国拟撤销对三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂“豁免”

当地时间6月20日，据《华尔街日报》援引知情人士的话报道称，负责美国商务部工业和安全局（BIS）的商务部副部长杰弗里·凯斯勒（Jeffrey Kessler）已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商，美国计划取消允许它们在中国

ZDNet 报道显示，继 3 月份推出 12 层 HBM4 样品后，SK 海力士在京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 研讨会（6 月 8 日至 12 日）上公布了长期 DRAM 路线图和可持续发展愿景，重点介绍了 10nm 以下技术的计划。

日前，根据多家市场研究公司对2023年第一季度DRAM市场的报告，SK海力士已超过三星电子，稳坐榜首。SK海力士凭借其高带宽存储器（HBM）优势，Ascension存储器半导体行业的宝座，标志着市场领导地位的重大转变。

早些时候，市场研究公司Counterpoint Research就报告称，2025年第一季度，SK海力士以36%的份额领先全球DRAM市场，而三星电子的份额为34%。

SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。

2025年5月22日，SK海力士宣布成功研发出全球首款采用321层1Tb TLC 4D NAND技术的UFS 4.1闪存产品，该产品提供512GB和1TB两种容量版本。

具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化产品厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机“凭借全球最高321层的产品组合，公司将在NAND闪存领域进一步巩固‘全方位面向AI的存储器供应商’的地位”

由于SK海力士向英伟达提供的HBM模型安装在Blackwell，这是为了强调英伟达的合作伙伴关系。

SK 海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。

今年第一季度，SK Siltron 向 SK 海力士出售的硅晶圆数量超过了向三星电子出售的硅晶圆数量。这一转变归因于 SK 海力士近期在高带宽内存 (HBM) 和服务器 DRAM 方面取得的成功，使其产量增长超过了近期陷入困境的三星电子。

三星将从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储（YMTC）的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。除了NAND闪存芯片引入混合键合技术，三星还打算扩展到DRAM芯片。

SK海力士公司近期宣布，其全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存已成功进入量产阶段。这款闪存不仅在存储层级上达到了前所未有的高度，还在性能上实现了显著提升。