横店东磁申请在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜等相关专利,提高PERC电池的光电转换效率
国家知识产权局信息显示,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜的方法、PERC电池及其制备方法”的专利,公开号CN120035247A,申请日期为2023年11月。
国家知识产权局信息显示,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜的方法、PERC电池及其制备方法”的专利,公开号CN120035247A,申请日期为2023年11月。
广州若羽臣科技股份有限公司披露了《关于持股5%以上股东减持股份预披露公告》, 朗姿股份有限公司计划合计减持若羽臣股份数量不超过4,768,071股,不超过若羽臣总股本的3%。其中,通过集中竞价方式减持不超过1,589,357股,不超过若羽臣总股本的1%,且在任
国家知识产权局信息显示,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“分析PERC电池产生EL黑斑的方法和PERC电池的制备方法”的专利,公开号CN120033101A,申请日期为2023年11月。