泛林集团干式光刻胶新突破：28nm间距直接图案化，助力2nm及以下制程
近日，泛林集团（Lam Research）在其位于美国加州的总部发布了一项重大技术突破。该集团宣布，其研发的干式光刻胶技术已经成功通过了imec的严格认证，这一技术能够在逻辑半导体后道工艺（即BEOL，互联层制作）中，直接实现28nm间距的图案化，且完全满足2
28nm间距
泛林公布干式光刻胶进展：可在后道工艺实现 28nm 间距直接图案化
泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布，其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证，可直接在逻辑半导体后道工艺（IT之家注：BEOL，互联层制作）中实现 28nm 间距的直接图案化，能满足 2nm 及以下先进制程的需求。