郝跃院士 张进成教授团队揭示（110）晶面单晶金刚石扩大生长机理
金刚石作为超宽禁带半导体的典型代表，因其超宽禁带、高击穿场强、高载流子迁移率及出色的热导率等特性，成为高频、大功率、高温及抗辐射器件的理想材料。其中，（110）单晶金刚石在氢终端以及n型掺杂的电子器件应用中展现出独特优势，但基于（110）单晶金刚石衬底的同质外
单晶金刚石
芯片革命！“终极半导体” 金刚石登场 京煌科技
当今，半导体行业处于转型的关键节点。以硅为主导的传统半导体，在面对高功率密度、高频、高温与高辐射等应用场景时，愈发显得力不从心。尽管以 GaN 和 SiC 为代表的第三代半导体，推动着功率器件朝着大功率、小型化、集成化和多功能化的方向大步迈进，可散热与能效等核