在科技的快速发展中，超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）先进半导体实验室一项关于超宽禁带氧化镓（Ga2O3）晶相异质结（Phase Heterojunction）的新研究发表在《Advan

氧化镓 异质结 晶相 2025-01-24 10:31  9

在科技的快速发展中，超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）先进半导体实验室一项关于超宽禁带氧化镓（Ga

异质结 晶相 晶相异质结 2025-01-22 10:37  10