三星1nm,指向2029年
三星电子半导体研究所近日正式着手研发 1.0nm 工艺,部分曾参与 2nm 等尖端制程的研发人员被抽调,组建了专项项目团队。在目前三星公开的晶圆代工工艺路线图中,计划于 2027 年量产的 1.4nm 工艺为目前最尖端的工艺。
三星电子半导体研究所近日正式着手研发 1.0nm 工艺,部分曾参与 2nm 等尖端制程的研发人员被抽调,组建了专项项目团队。在目前三星公开的晶圆代工工艺路线图中,计划于 2027 年量产的 1.4nm 工艺为目前最尖端的工艺。
三星在先进制程研发和量产上可能面临更大的危机,变得更为糟糕。原计划2027年量产的SF1.4(1.4nm级别)工艺可能会被取消,传闻这一决定是三星在SF3持续的良品率问题,并且关闭了未充分利用的5/7nm工艺产线后做出的,以减少亏损。
将涵盖那些能够推动逻辑晶体管和互连技术持续向1nm节点及更先进制程演进的工艺技术。衡量逻辑密度的关键指标是 “逻辑单元宽度 × 逻辑单元高度” 的乘积。栅极间距的微缩是逻辑单元宽度微缩的关键因素。为实现这一点,栅极长度、栅极侧壁宽度和接触特征尺寸的微缩是必要的
比利时imec 的 Luc Van den hove、法国 CEA-Leti 的 François Jacq、德国 Fraunhofer-Gesellschaft 的 Albert Heuberger、意大利 Consiglio Nazionale delle