中信证券发布研报称，1月15日晚间，BIS修订了《出口管理条例》(EAR)，修改DRAM先进存储定义，工艺节点仍为18nm，存储单元面积及存储密度由24年12月的1ynm变为1xnm，同时增加TSV通孔数限制，对HBM和先进DRAM的限制再加码，倒逼产业链国产

产业链 tsv 中信证券 2025-01-19 09:17  4