增强型氮化镓晶体管（E-GaN FET）行业市场调研及投资前景预测
氮化镓晶体管，指基于氮化镓（GaN）材料制成的宽禁带半导体器件，按照工作原理不同，可分为耗尽型氮化镓晶体管以及增强型氮化镓晶体管两种类型。增强型氮化镓晶体管（E-GaN FET），指通过优化器件结构和电场分布实现常闭型工作模式的氮化镓晶体管，在新能源汽车、5G
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无需改板、直接替换！GaN on Sapphire让硅基用户秒切氮化镓方案
在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。
台湾技术派GaNrich凭成熟LED工艺，让高压GaN成本砍半走向普及
在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。
从基础到应用，MOSFET与BJT的全面对比
晶体管可以根据需要用作绝缘体或导体，可以将晶体管用作开关或放大器。它可以与其他电路元件一起使用，能够放大电流和电压。之前的文章中也提到过，晶体管的两种类型：双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
先进制程面临的挑战
在2024年底刚开过IEDM的主题演讲（keynote speech），二维场效电晶体（2D Field Effect Transistor；2D FET）及奈米碳管（carbon nanotube）被提起可能成为逻辑制程的未来技术。