客户电源案例分析14：FT61E045低压输入时启动不良优化
问题现象：用DC电压模拟电池供电测试，在VDD1.1V时启动不良。用户体验极差，希望能支持更低的输入电压。
vbe
成都铭芯申请一种Σ Δ AD高精度温度传感器电路专利，能够在数字域实现Δ VBE运算
国家知识产权局信息显示，成都铭芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种Σ Δ AD高精度温度传感器电路”的专利，公开号 CN 119298914 A，申请日期为 2024年9月。
问题现象：用DC电压模拟电池供电测试，在VDD1.1V时启动不良。用户体验极差，希望能支持更低的输入电压。
国家知识产权局信息显示，成都铭芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种Σ Δ AD高精度温度传感器电路”的专利，公开号 CN 119298914 A，申请日期为 2024年9月。