宏力半导体

上海华虹宏力半导体降低等离子体损伤专利申请，降低等离子体损伤

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“降低等离子体损伤的方法”的专利，公开号 CN 119297070 A，申请日期为2024年9月。