联恒星科技申请电阻层析成像传感器现场标定方法及系统专利，有效减少现场环境对测量准确性的影响
国家知识产权局信息显示，深圳市联恒星科技有限公司申请一项名为“一种电阻层析成像传感器现场标定方法及系统”的专利，公开号 CN 119290975 A，申请日期为2024年10月。
电阻层析成像
国家知识产权局信息显示，深圳市联恒星科技有限公司申请一项名为“一种电阻层析成像传感器现场标定方法及系统”的专利，公开号 CN 119290975 A，申请日期为2024年10月。