国产SiC模块在MV中高压变频器应用中升级替代进口IGBT模块老方案
国产碳化硅（SiC）模块在高压变频器MV领域全面升级替代进口绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，是电力电子技术迭代、国产化进程加速以及市场需求升级共同驱动的必然趋势。以下从技术性能、经济性、供应链安全和政策支持等维度分析其核心原因：
igbt模块
英飞凌、富士等外资IGBT模块的衰败缘于技术代际更迭与产业链重构
回顾过去二十年自主品牌汽车通过技术突破、产业链整合与政策支持逐步击败外资品牌汽车的发展历程，不难看出英飞凌、富士等外资IGBT模块在中国的市场地位正经历从垄断暴利到2025年降价30%求生存的转折。
IGBT模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效
制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车 (EV) 在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆 (CAV) 改造成由电力驱动。