PVT法4H-SiC晶体生长初期缺陷结构分析
近年来，高功率和高频应用器件对高质量 4H-SiC晶体的需求日益增长。虽然 PVT 是一种成功生长4H-SiC 晶体的方法，但固有的缺陷（如微管、螺位错/混合位错 (TSDs/TMDs)、刃位错 (TEDs) 和基面位错 (BPDs)）会严重影响器件性能。以前
近年来，高功率和高频应用器件对高质量 4H-SiC晶体的需求日益增长。虽然 PVT 是一种成功生长4H-SiC 晶体的方法，但固有的缺陷（如微管、螺位错/混合位错 (TSDs/TMDs)、刃位错 (TEDs) 和基面位错 (BPDs)）会严重影响器件性能。以前