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为什么 3 nm 是道坎?

随着小米推出 3 nm 芯片,3 nm 工艺节点也再次成为讨论的焦点。随着芯片尺寸继续微缩,如今最前沿的先进制程工艺玩家已仅剩下三星、台积电和英特尔,而 3 nm正卡在 FinFET 工艺的极限上,三家采用了不同的技术方向,为什么会这样呢?

台积电 mosfet 栅极 finfet nm 2025-05-31 02:06  3

西交大靳国瑞、徐峰/港中深唐本忠院士、张健全AFM:分子锁策略突破NIR-II成像瓶颈,1064 nm激发实现深度组织成像

近红外二区(NIR-II,1000–1700 nm)荧光成像凭借出色的组织穿透性、低散射以及弱自体荧光等优势,成为生物医学成像领域的重要技术手段。然而,现有的NIR-II荧光探针多依赖传统染料(如ICG),存在聚集导致荧光猝灭(ACQ)、光稳定性差等瓶颈。尽管

成像 唐本忠 西交大 nm 徐峰 2025-05-29 09:11  4