【科研速递】基于铝氮化物基板方法实现更高亮度的深紫外LED
武汉大学周圣军教授团队提出了一种通过成核层(NL)修饰、生长模式调节和铟（In）掺杂调制实现高质量AlN缓冲层的范例。因而，在平坦的蓝宝石衬底（FSS）上实现了缺陷减少、应变控制和原子扁平的AlN薄膜。此外，通过使用所提出的AlN缓冲层，UVC LED 的电致
深紫外led
改善深紫外LED中的空穴注入
中国武汉的研究人员报告称，通过减少p型层中的碳（C）杂质，深紫外（DUV）发光二极管（LED）的光输出功率（LOP）和工作电压均有所提高 [Ziqi Zhang et al, Appl. Phys. Lett., v125, p241109, 2024]。碳杂
SN3-5C3FWL1：深紫外LED新标杆
在当今科技飞速发展的时代，深紫外LED因其在化学、生物分析及环境监测等领域的独特应用前景，备受科研与工程界的关注。AP Technologies Ltd推出的SN3-5C3FWL1深紫外LED，凭借其高效、环保、安全的特性，正引领一场技术革命。