近日，韩国东义大学研究团队发表了一篇论文，题目为《通过改进 PVT 生长过程中的热区设计并采用更致密的石墨坩埚来提高SiC单晶的质量》，他们研究发现，通过石墨堆叠结构的热区设计，可以提高PVT法的SiC晶体生长质量，例如BPD可以从5140个/cm2降至120

sic 石墨 bpd 2024-12-30 09:08  3