原子层沉积赋能无钴 LiNiO₂ 正极材料，引领全固态锂电池性能革新
本研究报道了一种基于无钴 LiNiO₂（LNO）正极材料的高能量全固态锂电池（ASSLBs），通过高压 O₂ 合成和原子层沉积（ALD）技术制备了一层独特的超薄 LixAlyZnzOδ（LAZO）保护层。该保护层不仅覆盖在LNO表面，还实现了铝（Al）和锌（Z
原子层沉积
芯片中的关键材料，将被替代
仅在2024年，半导体芯片的产量就达到了惊人的1万亿颗，相当于地球上每个人拥有100颗芯片。这一数字背后，是一个行业正在竞相突破半导体的物理极限，以提供更高的性能，满足先进人工智能、高效边缘计算以及智能手机和其他智能设备高端化带来的日益增长的需求。