光刻技术资讯

分子束全息光刻技术是啥？能用来干啥？

大家好！今天一起来了解分子束全息光刻技术（MBHL）技术。这项技术能在纳米尺度上玩出各种花样，制造出复杂的3D结构和超晶格，是不是超酷？快跟我一起去看看吧！

随着EUV（极紫外）光刻技术的不断发展，目标越来越小的线宽尺寸使得新的物理限制不断显现，成为了巨大的障碍。尽管长期以来，随机效应（stochastic effects）已被视为关键挑战，而电子模糊（electron blur）也逐渐得到了深入研究，偏振效应（p

光刻技术（Photolithography）是半导体制造中至关重要的工艺步骤之一。它负责将电路图案从掩模转移到半导体晶圆上，形成芯片上的复杂电路结构。光刻技术的精准性直接影响到半导体器件的性能、成本和制造效率，因此在现代电子产业中扮演着关键角色。

这一突破性成果3月9日发表在光学专业期刊《Advanced Photonics Nexus》上，由中国科学院研究团队完成，为半导体制造技术提供了新的可能性，或打开我国光刻机技术全新突破口！

从支持大语言模型的超大规模数据中心，到智能手机、物联网设备和自主系统中的边缘AI，各种应用对尖端半导体的需求都在加速增长。但制造这些芯片严重依赖极紫外（EUV）光刻技术，这已成为扩大生产的最大障碍之一。自2019年首批商用EUV芯片下线以来，设备、掩模生成和光

9月，佳能交付了一种技术的首个商业版本，该技术有朝一日可能颠覆最先进硅芯片的制造方式。这种技术被称为纳米压印光刻技术（NIL，nanoimprint lithography），它能够绘制出小至14纳米的电路特征——使逻辑芯片达到与英特尔、超微半导体（AMD）和

香港科技大学（港科大）工学院成功研发一款全球首创的深紫外microLED显示阵列晶元，此高光效晶元可配合无掩模紫外光光刻技术，提升其光输出功率密度准确性，并以较低成本及更速效的方法推动半导体晶片生产的技术发展。

近期，香港科技大学Feng Feng和南方科技大学刘召军教授等携手改进UVC微LED的制备工艺，成功实现了270 nm波长的高效UVC微LED，3 μm的微LED达到了创纪录的5.7%峰值外量子效率和396 W cm⁻²的最大亮度。以上成果在Nature Ph

图 | 段辉高（来源：段辉高）其通过力学剥离替代传统的湿法溶剂剥离工艺，实现了无需化学溶剂的图形转移，仅利用普通日用品“胶带”即可完成去胶过程。该方法从源头上消除了去胶过程中有害化学品的使用，不仅降低了化学足迹，还简化了工艺流程。该范式具有 100% 的工艺良

该范式具有 100% 的工艺良率，兼容多尺度结构（纳米至晶圆级）及多工艺场景，还可用于难加工衬底表面的图形转移，为绿色光刻和多功能化微纳加工提供了全新解决方案。