SOT-MRAM，中国公司实现关键突破
SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而，SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻
随机存取存储器
SOT-MRAM中国公司实现关键突破
SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而，SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻
闪存是什么？与内存有什么区别
闪存是一种非易失性存储器，广泛用于各种电子设备中，以存储数据。闪存具有快速读写速度、耐用性、低功耗和小型化等优点。它通过电荷存储信息，能够在掉电的情况下保持数据。闪存的典型应用包括USB闪存驱动器、固态硬盘（SSD）、智能手机、数码相机和其他便携式设备中的存储