对话罗姆技术专家，聊聊宽禁带半导体技术革新与产业变革
在全球能源转型与电子产业升级的双重驱动下，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体正成为功率器件领域的战略制高点，重塑着从能源转换到电力驱动的未来图景。SiC与GaN之所以被称为“宽禁带”，源于其材料本身具有远高于硅（Si）的禁带宽度。这带来了
宽禁带
宽禁带半导体研究前沿
一周晶体前沿，一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览，我们已将其摘要译成中文。本期推出由哈尔滨工业大学宋波教授精心整理的关于宽禁带半导体研究前沿。
【联盟动态】宽禁带半导体大讲堂 第五期 成功举办！
5月13日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、是德科技(中国)有限公司、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会联合主办的“宽禁带半导体大讲堂第五期——如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发展？”在机械工业出版社融媒体中心成功举办