横店东磁申请在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜等相关专利，提高PERC电池的光电转换效率
国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜的方法、PERC电池及其制备方法”的专利，公开号CN120035247A，申请日期为2023年11月。
半导体衬底
上海新硅聚合申请半导体衬底结构相关专利，降低微波损耗
国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种半导体衬底结构的形成方法及半导体衬底结构”的专利，公开号CN119987054A，申请日期为2025年1月。
上海新硅聚合申请一种半导体衬底结构相关专利，提高微波传播速度
金融界 2025 年 5 月 15 日消息，国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种半导体衬底结构的形成方法及半导体衬底结构”的专利，公开号 CN119987053A，申请日期为 2025 年 1 月。