SK海力士开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
SK海力士宣布,公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时,
SK海力士宣布,公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时,
据economictimes 5月14 日报道,印度电信国务部长Chandra Sekhar Pemmasani 14日在BHARAT 6G 2025会议上宣布,印度已跃居全球6G专利申请量前六位。印度政府已投入300亿卢比资助111个6G研究项目,重点开发太