第六代DRAM尚未量产，三星第七代DRAM测试线已开建
据韩国媒体Business Korea报导，三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。业界也将此测试线称为“单路径线”（one path），预期明年第一季度将完全建成。
平泽
三星电子400层NAND完成研发，已开始导入产线
目前，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。
400层NAND：完成开发，准备量产
三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上。这一重要里程碑使三星处于NAND闪存技术的前沿，因为它准备与SK海力士等行业对手竞争，后者已宣布量产321层NAND。
消息称三星完成4XX层NAND闪存技术开发，开始向量产线转移
韩媒 SEDaily 当地时间本月 6 日援引消息人士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存的开发，并从上月开始将该技术转移至位于平泽 1 号工厂的量产线上。