国家知识产权局信息显示，上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“硅片及硅片的形成方法”的专利，公开号CN 119082865 A，申请日期为2024年6月。

半导体 硅片 硅片边缘 2024-12-07 17:42  3